PI薄膜標籤

電路板或電子模組通常在進迴流焊、波峰焊之前就貼好標識標籤，這塊標籤在板子出廠時、幾年後檢修時都還要清晰可讀。一般標籤材料在焊接高溫下會碳化、捲曲、翹起；在更熱的場景裡——發動機艙、爐邊製程設備、滿載電池模組——更快失效。標識沒了，追溯也斷了：查不到批次、無據可對，返工與售後都說不清。

我們供應聚醯亞胺（PI）薄膜標籤，正是為這類任務而配。聚醯亞胺在 -269℃ 至 +500℃（短時可達 800℃）之間保持形狀與電氣、化學性能穩定，印上的序號、批號與條碼能扛過焊接高溫，在長期高溫使用中保持可讀。琥珀色與黑色兩種薄膜、25–125μm 多檔厚度，從通用電子元件涵蓋到要求嚴苛的工業設備。

主要應用

PI 薄膜標籤用於需要扛住極端高溫與嚴苛環境、且要長期可讀的標識：

• 電子製造——隨電路板、元器件通過迴流焊、波峰焊的標識；半導體與模組追溯。
• 航空航太——發動機艙、航電系統等高溫部件的永久標識。
• 軍工電子——軍事裝備中高溫模組與系統的標識，作為工業供應鏈的常規環節提供。
• 工業製造——焊接治具、爐邊高溫設備與製程管線的標識。
• 新能源汽車——電池模組與馬達系統的高溫標識。

耐溫要求沒這麼高、偏一般電子與工業場景，可參考PET薄膜標籤；更看重防潮耐候可選合成紙標籤——見下方相關產品。

關鍵特性

撐過焊接高溫，標識依然可讀

薄膜標稱耐溫 -269℃ 至 +500℃、短時可達 800℃，在焊接高溫與高溫工業使用中不熔化、不碳化、不收縮、不分層。部件下線與日後檢修時標識仍完整可掃，無需二次補貼、追溯不斷。

為帶電與高壓組件提供絕緣

薄膜介電強度 200KV/mm，貼在高壓、高頻電路或電池單元表面不會犧牲絕緣性。可在帶電組件上做永久標識，無需另加絕緣層，也不引入橋接風險。

耐化學、耐輻射，扛得住現場清洗與工況

聚醯亞胺耐受大多數有機溶劑、酸與鹼的侵蝕，並具抗輻射性，在清洗劑、製程化學品與特殊輻照環境中保持清晰，不暈開、不脫落。另有增強耐化學型供更嚴苛環境選用。

尺寸穩定、印跡長期可讀

薄膜熱膨脹係數很低，溫度劇烈變化時標籤與條碼位置保持穩定；印跡用特種油墨印製，在高溫高壓下依然固定在薄膜上、清晰可讀。

阻燃材質，適合防火要求高的設備

薄膜阻燃、不助燃，適合帶電設備、電池系統等防火要求高的場合；認證與合規文件請洽詢，線下提供。

技術規格

• 材質：琥珀色聚醯亞胺薄膜、黑色聚醯亞胺薄膜
• 常見厚度：25 μm、50 μm、75 μm、125 μm
• 耐溫範圍：-269℃ 至 +500℃；短時可達 800℃
• 介電強度：200 KV/mm
• 阻燃特性：阻燃、不助燃，適合防火要求高的場景
• 主要特性：耐極端溫度、阻燃、絕緣、耐化學、抗輻射、尺寸穩定
• 尺寸 / 模切 / 膠型：依應用訂製

把標籤要承受的最高溫度、接觸的環境與被貼基材告訴我們，即可確認薄膜、厚度與模切。

薄膜與厚度跟著製程溫度走。常見起點如下（耐溫 −269 °C 至 +500 °C，短時可至 800 °C）：

擊穿強度 200 KV/mm，薄膜阻燃不助燃，因此在帶電與高壓總成上同時擔當電氣絕緣。請提供實際峰值溫度與熱曲線、被貼材質、標籤尺寸與年用量，我們據此確認規格。

如何選型與訂購

• 依製程溫度選等級——長期 -269℃ 至 +500℃、短時 800℃，涵蓋迴流焊、波峰焊與多數高溫工業場景；把實際峰值與熱曲線寄給我們，下單前確認適用。
• 依用途選薄膜與厚度——琥珀色是多數電子元件標識的通用檔；黑色用於希望外觀統一的場合；25μm 適合空間受限元件，50–125μm 提供更強耐久。
• 說明接觸環境（溶劑、酸、輻照）、被貼基材、標籤尺寸與年用量，我們推薦薄膜、厚度、膠型與模切，下單前先確認規格。

起訂量、交期與運費視尺寸、厚度與數量而定——提供規格與用量，我們即報價。

FAQ

• 能過迴流焊、波峰焊嗎？——標稱範圍內可以：-269℃ 至 +500℃，短時可達 800℃。把爐溫曲線寄給我們，下單前先確認等級適用。
• 琥珀色和黑色有什麼差別？——兩種薄膜的耐溫、絕緣與化學性能一致；琥珀色是多數電子元件標識的標準檔，黑色用於希望外觀統一的場合。
• 能印多薄？——最薄 25μm，用於空間受限元件；需要更強耐久可選 50、75、125μm。
• 阻燃嗎？有認證嗎？——薄膜阻燃、不助燃。認證與合規文件請洽詢，線下提供，不在線上公布認證編號。
• 下單前能用自己的熱曲線實測嗎？——可以，索取樣品放進您的焊接或熱循環裡實測，再定規格。

博豐新材料向電子製造商、PCB 組裝廠與航空航太、軍工、新能源供應鏈供應聚醯亞胺（PI）薄膜標籤，屬其Eco Labels 環保標籤產品線。告訴我們標籤要承受的溫度與環境，我們為您配好薄膜、厚度與膠型。

索取報價或樣品： jason.zhan@bofmat.com

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